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1000型滚揉机真空腌制机

发布时间:2018-09-26 13:25


产品详细信息
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,

分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,

全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

产品技术参数
通道类型N
最大连续漏极电流18 A
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.15 Ω
最大栅阈值电压4V
最小栅阈值电压2V
最大栅源电压±20 V
封装类型D2PAK
安装类型表面贴装
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散150 W
配置
典型接通延迟时间10 ns
典型输入电容值@Vds1160 pF@ 25 V
长度10.67mm
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
最低工作温度-55 °C
典型栅极电荷@Vgs67 nC@ 10 V
高度4.83mm
最高工作温度+175 °C
宽度9.65mm
每片芯片元件数目1
典型关断延迟时间23 ns
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