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ZKGRJ-1500A真空滚揉机

发布时间:2018-09-26 13:25


产品详细信息
双 N 通道 MOSFET, Semiconductor
MOSFET 晶体管, Semiconductor
产品技术参数
通道类型N
最大连续漏极电流15 A、21 A
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.007 (Q2) Ω, 0.0124 (Q1) Ω
最小栅阈值电压1.2V
最大栅源电压±20 V
封装类型PowerPAK SO
安装类型表面贴装
引脚数目8
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散43 W
配置
高度1.07mm
最高工作温度+150 °C
长度5.99mm
尺寸5.99 x 5 x 1.07mm
典型关断延迟时间22 ns,35 ns
最低工作温度-55 °C
典型栅极电荷@Vgs17 nC@ 10 V,32 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds1100 pF@ 15 V,2000 pF@ 15 V
每片芯片元件数目2
宽度5mm
典型接通延迟时间20 ns,26 ns
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