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600真空滚揉机

发布时间:2018-09-26 13:25


产品详细信息
N 通道 MOSFET,60V 至 90V, Semiconductor

MOSFET 晶体管, Semiconductor
产品技术参数
通道类型N
最大连续漏极电流1.7 A
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.2 Ω
最小栅阈值电压2V
最大栅源电压±20 V
封装类型HVMDIP
安装类型通孔
引脚数目4
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散1.3 W
配置双漏极、单
最高工作温度+175 °C
高度3.37mm
尺寸5 x 6.29 x 3.37mm
长度5mm
典型关断延迟时间13 ns
典型输入电容值@Vds310 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs11 nC@ 10 V
最低工作温度-55 °C
典型接通延迟时间10 ns
每片芯片元件数目1
宽度6.29mm
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